Advanced GaN chip solutio
產(chǎn)品中心
圍繞化合物半導(dǎo)體材料，研制大規(guī)模模擬集成芯片，其中SDR SiP芯片、mini LED及第三代半導(dǎo)體氮化鎵GaN、SiC功率器件獲得數(shù)10項發(fā)明專利。
RF CHIP
射頻芯片
射頻芯片是移動智能終端產(chǎn)品的核心組成部分，追求低功耗、高性能、低成本是其技術(shù)升級的主要驅(qū)動力，公司多款射頻前端器件規(guī)模投放市場后得到客戶一致好評，主要有Transceiver及射頻前端 [如功率放大器(PA)、天線開關(guān)(Switch)、濾波器(Filter)、雙工器(Duplexer和Diplexer) 和低噪聲放大器(LNA)等]。
GaN & SiC
功率芯片
基于氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)化合物半導(dǎo)體材料設(shè)計的低阻抗，高電子遷移率器件解決方案，為客戶定制各類模塊及器件，主要用于光伏逆變器、電機控制、新能源汽車，無線充電、中低壓快充等。
AIPS
人工智能動力系統(tǒng)
基于人工智能大模型架構(gòu)的GaN高電子遷移可編程動力系統(tǒng)芯片，公司科研團隊連續(xù)三年獲得多項ICCV國際人工智能大賽二、三等獎，2024年獲得國際計算機視覺觸覺頂會CVPR 冠軍。
Mini LED
新一代顯示驅(qū)動
Mini LED顯示驅(qū)動芯片集成了高精度恒流控制、PWM產(chǎn)生和數(shù)字信號處理等部件， 是顯示屏成像系統(tǒng)的主要部分， 負責(zé)接收圖像數(shù)據(jù)并轉(zhuǎn)換為PWM恒流驅(qū)動， 精確地控制相應(yīng)的LED灰度顯示。公司現(xiàn)有基于CPWM技術(shù)設(shè)計的大規(guī)模 8K Mini LED顯示高刷新芯片，矩陣式LED背光驅(qū)動芯片，該技術(shù)領(lǐng)域獲得國內(nèi)60%以上發(fā)明專利。
Micro LED
微米發(fā)光
Micro LED，將LED背光源微縮化、矩陣化，致力于單獨驅(qū)動無機自發(fā)件(自發(fā)光)，讓產(chǎn)品壽命更長，Micro LED晶片長度約1~10μm，僅為LED的1%，通過大規(guī)模轉(zhuǎn)移技術(shù)，μm級三色RGB Micro LED被轉(zhuǎn)移到基板上，形成各種尺寸的Micro LED顯示屏。
新聞資訊
產(chǎn)品、市場、活動最新動態(tài)。
關(guān)于我們
中科無線半導(dǎo)體，由中國科大校友團隊創(chuàng)辦，具備多年化合物功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，是一家基于化合物材料研發(fā)及生產(chǎn)的高端模擬芯片設(shè)計公司。
公司概況
中科無線半導(dǎo)體團隊 2011 年組建于合肥，2018 年搬到廣東深圳，是一家軍民融合企業(yè)，是中國科大校友團隊創(chuàng)辦，由“第三代半導(dǎo)體”模擬芯片設(shè)計領(lǐng)域的專家博導(dǎo)組成，包含 7 位教授及 11 位博士，獲得國防及民用專利 43 項，累計發(fā)表論文 250 篇。團隊來自各大軍工所及中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，具有豐富的化合物功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，研發(fā)的芯片包括 HEMT、PHEMT、GaN/SiC、Transceiver 通信芯片、mini LED、micro LED、化合物半導(dǎo)體外延材料研發(fā)及氧化鋁（AI2O3)材料生長藍寶石襯底技術(shù)研制。產(chǎn)品主要應(yīng)用于、新能源、無人機、無人裝備、物聯(lián)網(wǎng)、顯示面板及快充等領(lǐng)域。
查看詳情發(fā)展歷程
2023年 砷化鎵/氮化鎵 HEMT/PHEMT、GaN外延，進入量產(chǎn)階段；2023年MiniLED8通道芯片，驗證片合格；研制48通道芯片；2022年SiP工藝設(shè)計及物聯(lián)網(wǎng)芯片、SiP封裝機圖像SOC+RFTransceiver實現(xiàn)量產(chǎn)；2019年研制光子微波連接器……
查看詳情公司榮譽
公司資質(zhì)為國家級高新技術(shù)企業(yè)，國家級軟件企業(yè)。獲得專利100項、軟件著作權(quán)9項、警用探針、透明算法加密系統(tǒng)等獲得政府資助（500萬元）。 榮獲中國半導(dǎo)體聯(lián)盟事單位，4G智能天線華為、中國移動5G聯(lián)合創(chuàng)新中心合作伙伴...
查看詳情